Темы творческих работ (эссе) СГА → Физические основы электроники

Физические основы электроники (2809) , модуль 2 - Темы творческих работ (эссе) СГА

  • взаимодействие света с носителями заряда в p-n-переходе, фотодетекторный режим, фотоэдс
  • взаимодействующие переходы - основа биполярного транзистора
  • влияние напряжения на управляющем переходе на процессы в канале при использовании p-n-перехода и перехода контакта металл-полупроводник
  • возбуждение электромагнитных волн в линиях передачи. Возбудители типов волн
  • возможность расчета токов электродов и статических характеристик структуры в любых режимах работы и схемах включения
  • вольт–амперная характеристика (ВАХ) идеализированного перехода и ее уравнение. Зависимость ВАХ от концентрации примесей и температуры
  • движение носителей в электрическом поле
  • Диффузионное движение носителей. Плотность диффузионного тока
  • доноры и акцепторы. Зонные диаграммы, уровни доноров и акцепторов
  • зонная модель твердых тел. Классификация твердых тел (металлы, полупроводники, диэлектрики)
  • зонные диаграммы материалов до контакта и всей структуры МДП в состоянии термодинамического равновесия
  • идеализированные характеристики, отражение эффекта модуляции толщины базовой области (эффект Эрли) на статических характеристиках структуры
  • коэффициент диффузии. Зависимость подвижности и коэффициента диффузии от типа носителей заряда и материала
  • краткая характеристика термоэлектрических явлений (эффекты Зеебека, Пельтье, Томсона)
  • мДП - транзистор со встроенным и индуцированным каналом
  • неравновесные носители заряда. Время жизни неравновесных носителей
  • основы эмиссионной электроники. Виды эмиссии: термоэлектронная, вторичная электронная, электростатическая, фотоэлектронная
  • параметры p-n-перехода и его электрическая модель
  • пороговое напряжение, напряжение отсечки, напряжение насыщения, идеализированные статические характеристики
  • принцип электростатического управления плотностью электронного потока в электронных лампах
  • причины, вызывающие инерционность процессов в p-n-переходе
  • разновидности контактов в полупроводниковой электронике
  • статическая модель Эберса-Молла – отражение процессов в переходах и взаимосвязи переходов
  • управление током электронного луча и положением луча в электронно-лучевых приборах
  • уровень Ферми. Положение уровня Ферми на зонных диаграммах собственного полупроводника и полупроводников с проводимостью n- и p-типа
  • учет генерации и рекомбинации носителей заряда в обедненной области перехода, учет омических сопротивлений p- и n-областей
  • физические процессы при прямом включении эмиттерного и обратном включении коллекторного переходов, движение носителей через переходы и базовую область
  • физические явления и факторы, обусловливающие инерционность структуры (частотные и импульсные свойства)
  • фотопроводимость (внутренний фотоэффект)
  • функция распределения Ферми-Дирака. Уровень Ферми

Данный список тем процитирован в учебных целях с сайта Современной Гуманитарной Академии, www.muh.ru