Темы творческих работ (эссе) СГА → Электротехника, электроника и схемотехника

Электротехника, электроника и схемотехника (4924) , модуль 5 - Темы творческих работ (эссе) СГА

  • активные и реактивные элементы цепей переменного тока
  • Активные квантовые стандарты частоты
  • Амплитудная и амплитудно-частотная характеристики ЛБВМ
  • Амплитудная характеристика ЛБВО
  • Амплитудные характеристики,амплитудно-частотная и фазочастотная характеристики многорезонаторного клистрона
  • анализ электрических цепей. Основные методы
  • Аналого-цифровые преобразователи
  • Аналоговые микросхемы
  • Атомно-лучевые стандарты
  • Баланс мощностей
  • Баланс фаз
  • Большая интегральная микросхема
  • Варикап
  • Вводные сведения по математическому моделированию электронных устройств
  • Видиконы
  • виды асинхронных машин. Устройство и назначение
  • виды трансформаторов и области применения
  • виды электрических измерений, условия реализации
  • Влияние температуры на работу биполярного транзистора
  • Вольт-амперные характеристики биполярных транзисторов
  • Вторичные источники питания
  • Выпрямители и их значение
  • Выходная мощность ГЛПД
  • Выходная мощность двухрезонаторного пролетного клистрона
  • Выходная мощность и электронный КПД в режиме большого сигнала многорезонаторного клистрона
  • Выходная мощность и электронный КПД генераторных ЛОВО
  • Выходные каскады
  • Газовые лазеры. Гелий-неоновый атомарный лазер
  • генераторы постоянного тока
  • Гибридные интегральные микросхемы
  • Группирование электронов
  • двигатели постоянного тока
  • Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях в статическом режиме
  • Движение электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях при наличии СВЧ-поля
  • Действующее зачение переменного тока и напряжения
  • Динамические параметры цифровых микросхем
  • Динамический режим работы магнетрона
  • Динамический режим работы полевого транзистора
  • Дисперсионные характеристики замедляющей системы
  • Доменная неустойчивость (эффект Ганна)
  • Доменные режимы работы генераторов на диодах Ганна. Вольт-амперная характеристика прибора с доменной неустойчивостью
  • Достоинства оптоэлектронных приборов
  • Естественная ширина спектральной линии
  • Жидкостные лазеры
  • Зависимость конвекционного тока от времени
  • Зависимость коэффициента усиления и выходной мощности от ускоряющего напряжения ЛБВО
  • Закон Бугера
  • Замедляющие системы
  • Излучающий диод (светодиод)
  • Импульсный режим работы биполярного транзистора
  • Инверсия населенностей. Явление насыщения перехода
  • Индикаторы
  • Инжекционный лазер. Другие методы накачки в полупроводниках
  • Интегральные микросхемы
  • Ионные лазеры
  • Использование вольт-амперной характеристики диода для определения его режима работы
  • Использование светодиодов
  • Использование фотодиодов
  • Квантовые переходы: спонтанные переходы, вынужденные переходы
  • Квантовые стандарты частоты. Требования, предъявляемые к рабочей среде КСЧ
  • Классификация, основные параметры и характеристики усилителей
  • Ключевой режим работы полевого транзистора
  • Когерентность, монохроматичность и направленность лазерного излучения
  • Комбинационные устройства
  • Конструкция полевых транзисторов с управляющим переходом
  • Коэффициент усиления в режиме слабого сигнала многорезонаторного клистрона
  • Коэффициент усиления ЛБВМ
  • Коэффициент усиления ЛБВО
  • Коэффициенты усиления по мощности и напряжению двухрезонаторного пролетного клистрона
  • Кремниевые фотодиоды
  • Крутизна и диапазон электронной перестройки частоты (ЭПЧ)
  • Лавинно-пролетный диод
  • Лавинный пробой
  • Лазеры
  • магнитные цепи. Основные законы
  • Малая интегральная микросхема
  • Математические модели диодов и их использование для анализа электронных схем
  • методы анализа переходных процессов в электрических цепях
  • методы выбора типа электродвигателя
  • Методы контроля в производстве интегральных микросхем
  • методы расчета мощности электродвигателя
  • методы расчета переходных процессов в электрических цепях
  • Микропроцессор
  • Многокаскадные усилители
  • Модуляция электронного потока по скорости
  • Молекулярные лазеры
  • Мощность излучения лазера
  • Мощность колебаний в выходном резонаторе
  • Мощность отражательного клистрона
  • Наведенный ток
  • назначение и характеристики источников вторичного электропитания
  • назначение, виды и характеристики усилителей электрических сигналов
  • Недостатки интегральных микросхем
  • Недостатки оптоэлектронных приборов
  • Нелинейные модели биполярного транзистора
  • Неустойчивость в виде волн объемного заряда. Условие существования неустойчивости
  • Обозначения ИМС
  • Общая характеристика импульсных и цифровых устройств
  • Общая характеристика твердотельных лазеров
  • Операционные усилители
  • Операционный усилитель
  • Операционный усилитель и его применение
  • Оптические резонаторы: разновидности, собственные колебания
  • Оптический диапазон
  • Оптический диапазон (оптическая накачка)
  • Оптопары
  • Оптоэлектронные приборы
  • Оптрон
  • организация логических элементов цифровых устройств и ЭВМ
  • Основные допущения идеализированной теории биполярных транзисторов
  • Основные логические операции и их схемная реализация
  • Основные типы индикаторов
  • Основные физические процессы полевых транзисторов
  • Основные физические процессы полупроводникового диода
  • основные характеристики асинхронных двигателей
  • Основные элементы отражательного клистрона
  • Особенности ИМС
  • Особенности построения усилителей постоянного тока
  • Особенности работы биполярного транзистора на высоких частотах
  • Особенности устройства и параметры отражательных клистронов
  • Особенности устройства и параметры усилительных пролетных клистронов
  • Особенности устройства и применения диодов Ганна
  • Особенности устройства и применения КПУ
  • Особенности устройства и применения ЛБВО
  • Особенности устройства и применения ЛОВО
  • Особенности устройства и применения ЛПД
  • Особенности устройства и применения многорезонаторных магнетронов
  • Особенности устройства и применения электронных ламп
  • Отрицательная дифференциальная проводимость полупроводников
  • Параллельный колебательный контур
  • Параметры и характеристики амплитрона
  • Параметры и характеристики генераторной ЛОВМ
  • Параметры импульсного сигнала
  • Параметры пространственных гармоник
  • Параметры цифровых микросхем
  • Параметры, характеризующие свойства и возможности различных приемников оптического излучения
  • Пассивные квантовые стандарты частоты. Стандарты с оптической накачкой
  • Перспективы развития ИМС
  • Пленочные интегральные микросхемы
  • Поле в периодических замедляющих системах и пространственные гармоники
  • Полевой транзистор
  • Полевые транзисторы с изолированным затвором
  • Полевые транзисторы с индуцированным каналом
  • Полевые транзисторы со встроенным каналом
  • Полный ток в промежутке между электродами
  • полупроводники и полупроводниковые приборы. Принцип работы и характеристики диода
  • Полупроводниковые интегральные микросхемы
  • Полупроводниковые приборы
  • Полупроводниковый диод
  • Полупроводниковый стабилитрон
  • Получение инверсии населенностей в парамагнитном веществе
  • Понятие СВЧ
  • понятие электропривода, режимы работы
  • Порядок расчета усилителя мощности
  • Потери в оптических резонаторах
  • представление магнитной цепи. Характеристики элементов
  • представление мощности в цепях переменного тока
  • представления и характеристики несинусоидальных токов
  • Преимущества интегральных микросхем
  • Преимущества цифровых ИМ по сравнению с аналоговыми
  • Приборы с дифракционным излучением
  • Приборы с параметрическим усилением в электронном потоке
  • Приборы с циклотронным резонансом
  • Приемники оптического излучения
  • Применение операционных усилителей
  • Применение принципа полевого транзистора
  • Применения лазеров
  • Примеры применения оптоэлектронных приборов
  • Принцип действия биполярного транзистора
  • Принцип действия полевых транзисторов с управляющим переходом
  • Принцип работы амплитрона
  • Принцип работы генераторной ЛОВО
  • Принцип работы двухрезонаторного усилительного пролетного клистрона
  • Принцип работы ЛБВМ
  • Принцип работы ЛПД с n+—р—i—p+-структурой
  • Принцип работы приборов типа О с длительным взаимодействием
  • Принцип работы усилительной ЛОВО
  • принципы действия и основы создания импульсных устройств
  • принципы работы асинхронных двигателей
  • принципы функционирования усилительных каскадов
  • Пробой биполярного транзистора
  • Пролетный режим генератора. Режим с задержкой образования домена
  • Проходной резонаторный КПУ. КПУ с бегущей волной (КУБВ)
  • Работа триггера
  • Расчет токов биполярного транзистора
  • Режим ограниченного накопления объемного заряда (ОНОЗ). Гибридный режим
  • Режим работы ЛПД с захваченной плазмой
  • Режим с подавлением домена
  • Режимы генерации и усиления генераторов и усилителей на ЛПД в пролетном режиме
  • Режимы работы биполярного транзистора
  • режимы работы синхронных машин
  • Режимы работы усилительных каскадов
  • Резисторные усилители на полевых транзисторах. Трансформаторные усилительные каскады
  • Резисторные усилители напряжения на транзисторах с фиксированным током базы
  • Резисторные усилители с отрицательной обратной связью
  • Резонаторные КПУ
  • Рубиновый лазер. Лазер с использованием ионов редкоземельных элементов
  • Сведения по технологии получения ИМС
  • Сверхбольшая интегральная микросхема
  • свойства и характеристики трехфазных электрических цепей
  • Свойства колебательной системы магнетрона
  • свойства ферромагнитных материалов
  • СВЧ-диапазон
  • Связанные контуры
  • Сглаживающие фильтры
  • Сеточные лампы СВЧ в режиме больших амплитуд
  • Сеточные лампы СВЧ в режиме малых амплитуд
  • Сканистор
  • Современные подходы к анализу и синтезу электронных устройств
  • современные полупроводниковые приборы и устройства
  • Современные системы математического моделирования электронных устройств
  • Соотношения между коэффициентами Эйнштейна. Безызлучательные переходы
  • Сопротивления в цепи переменного тока
  • Спектр излучения лазера при неоднородном уширении спектральной линии
  • Спектр излучения лазера при однородном уширении спектральной линии. Монохроматичность излучения лазера
  • Спектральные коэффициенты Эйнштейна
  • Средняя интегральная микросхема
  • Стабилизаторы напряжения
  • Стабилизация рабочего вида колебаний
  • Стабилитрон
  • Статические параметры цифровых микросхем
  • Статические характеристики биполярного транзистора
  • Статический режим работы многорезонаторного магнетрона
  • Структура фоторизистора
  • Структурная схема автогенератора
  • Структурные схемы квантовых усилителей и генераторов. Способы накачки
  • Схемы включения биполярного транзистора
  • Схемы включения биполярного транзистора и их характеристики
  • Схемы включения полевого транзистора
  • Счетчики и регистры
  • Твердотельные лазеры с модуляцией добротности
  • теория электрических цепей. Основные законы и их применение
  • Тиристор
  • Ток проводимости в слое умножения
  • Токи в слое умножения при малой амплитуде поля
  • Транзистор
  • Транзистор с индуцированным (инверсным) каналом
  • трансформаторы. Назначение и принцип действия
  • Требования к фотоприемникамсветовых образов
  • Три основные схемы усилителей на транзиторах
  • Туннельный диод
  • Ударная ионизация,лавинное умножение носителей в р—n-переходе
  • Универсальная математическая модель полевого транзистора
  • Усиление большого сигнала многорезонаторного пролетного клистрона
  • Усиление слабого сигнала многорезонаторного пролетного клистрона
  • Усилитель мощности на транзиторе
  • Условия получения инверсии населенностей в полупроводниках
  • Условия самовозбуждения лазера
  • Устройство полевых транзисторов
  • устройство и виды полупроводниковых транзисторов. Принцип действия, схемы включения
  • устройство и принцип действия машин постоянного тока
  • устройство и принцип действия синхронной машины
  • Устройство интегральных микросхем
  • Устройство ЛОВМ
  • Устройство полупроводникового диода
  • устройство трансформаторов. Основные параметры
  • Уширение спектральной линии из-за столкновений. Доплеровское уширение спектральной линии. Другие причины уширения спектральной линии
  • Фазовые соотношения в пролетном клистроне
  • Фазовые характеристики ЛБВО
  • Физические основы квантовых приборов
  • Физические основы приборов типа М
  • Физические процессы в биполярном транзисторе
  • Фотодиод
  • Фотодиодные линейки и матрицы
  • Фотоприемники
  • Фоторезистор
  • Фототиристор
  • Фототранзистор и фототиристор
  • Фотоэлектрические приемники излучения
  • Фотоэлектронный умножитель
  • Функциональная классификация интегральных микросхем
  • Функциональная классификация микросхем
  • характеристики и законы переходных процессов в электрических цепях
  • характеристики основных элементов и параметры линейных электрических цепей
  • Характеристики светодиодов, работающих в видимом диапазоне
  • характеристики электрических цепей с несинусоидальными токами
  • цепи синусоидального тока. Характеристики токов и напряжений, параметры
  • Цифро-аналоговые преобразователи
  • Цифровые интегральные микросхемы
  • Частота генерируемых колебаний
  • Частота генерируемых колебаний генераторных ЛОВО
  • Шумовые характеристики ЛБВО
  • Шумы квантовых парамагнитных усилителей
  • Эквивалентная схема слоя дрейфа при малой амплитуде поля. Эквивалентная схема ЛПД в пролетном режиме работы для малого сигнала
  • Эквивалентная схема слоя умножения при малой амплитуде поля. Токи в слое дрейфа при малой амплитуде ноля
  • Электронное смещение частоты и рабочие характеристики многорезонаторного магнетрона
  • Электронные ключи
  • Электронный КПД и шумы генераторов и усилителей на ЛПД в пролетном режиме
  • Электронный КПД ЛБВМ
  • Электронный КПД ЛБВО
  • Электронный КПД многорезонаторного магнетрона
  • Электронный КПД отражательного клистрона
  • Элементы линейной теории ЛБВО
  • Эмиттерный повторитель
  • Энергетические особенности взаимодействия СВЧ-поля и электронов в приборах типа М
  • Энергетические уровни парамагнитных веществ
  • Этапы линейной теории ЛБВ

Данный список тем процитирован в учебных целях с сайта Современной Гуманитарной Академии, www.muh.ru